| MRAM概述及其优点 |
| Time：2013-7-21 Browses：221
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MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
磁阻内存和DRAM内存采用了完全不同的原理。DRAM内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的，它不仅需要保持通电，还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则完全不使用电容，它采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向，下面的导体的磁致电阻(magnetoresistance)就会发生变化。电阻一旦变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。
与现有的快闪内存（FLASH）、静态随机存取内存（SRAM）、动态随机存取内存（DRAM）相比， MRAM具有非常优秀的性能。根据美国专业半导体研究机构EDN分析，如将MRAM与 DRAM、 SRAM、 FLASH等内存做比较，在“非挥发性”特色上，目前仅有MRAM及FLASH具此功能；而在“随机存取”功能上，则FLASH欠缺此项功能，仅MRAM、DRAM、SRAM具备随机存取优点。除此之外，MRAM还具有以下优点：
第一，在读取速度方面：MRAM及SRAM的速度最快，同为25～100ns，不过，MRAM仍比SRAM快；DRAM则为50～100ns，属于中级速度相较之下，FLASH的速度最慢。
第二，在写入次数方面：MRAM、 DRAM以及SRAM则都属同一等级，约可写入无限次的记忆，而FLASH则只约可写入106次。
第三，在芯片面积方面，MRAM与FLASH同属小规格的芯片，所占空间最小；DRAM的芯片面积则是属于中等规格，SRAM更是属于大面积规格的芯片，其所占的空间最大。
第四，在嵌入式设计规格方面，DRAM、SRAM、FLASH同属良率低、须增加芯片面积设计规格；而MRAM则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。
最后在耗电量方面，只有MRAM以及SRAM拥有低耗电的优点，FLASH则是属于中级的耗电需求，至于DRAM更是具有高耗电量的缺点。 |
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