| SAMSUNG、HYNIX同时发力20nm技术 |
| 时间：2014-8-22 浏览次数：470
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三星电子(Samsung Electronics)欲当高阶DRAM的市场龙头，积极扩充20纳米产线，21日宣布开始量产企业服务器用的8 gigabit(Gb)DDR4存储器，产线由个人计算机芯片拓展至企业市场。
韩国媒体21日报导，三星称8Gb DDR4技术领先业界，采用20纳米制程，处理效能提高30%，达2400 Mbps。新品也更为省电，电压为2.1伏特，优于DDR3的1.5伏特。此外，8Gb DDR4芯片可使用直通硅晶穿孔(TSV)技术，制成128 GB的企业服务器模块。三星3月推出个人计算机用的20纳米DRAM，9月发表20纳米的移动DRAM，如今再进一步丰富20纳米存储器产线。
海力士(SK Hynix)也在21日发布全球最大容量的16GB DDR4 NVDIMM非挥发性存储器。新品使用20纳米4Gb DDR4制成，处理速度达2133Mbps。NVDIMM结合DRAM和NAND Flash，意外停电或当机仍能时保存、回复资料，不怕数据突然消失。该公司预定明年上半量产新品。
据媒体21日报导，消息人士透露，由于存储器芯片(DRAM、NAND Flash)营销市场情况优于系统半导体，三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)都瞄准此一领域，拓展获利。两家公司都把重点放在增加生产效率、确保微缩制程;而非发展半导体设计，以此应对台积电等晶圆代工厂的威胁。 |
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