| 突破细微化极限，海力士跟TOSHIBA联手研发纳米压印技术 |
| 时间：2015-2-5 浏览次数：699
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全球第 2 大 NAND 型快闪内存（Flash Memory）厂商东芝（Toshiba）5 日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术“纳米压印技术（Nano-imprint Lithography；NIL）”的研发脚步，已和韩国半导体大厂SK 海力士（SK Hynix）正式签署契约，双方技术人员将自 2015 年 4 月起透过东芝横滨事业所携手研发 NIL 制程的关键技术，目标为在 2017 年实用化。
东芝于去年 12 月和 SK Hynix 就 NAND Flash 侵权案一事达成和解，Hynix 除同意支付东芝 2.78 亿美元（约330亿日元）和解金外，双方当时也宣布将携手研发被称为“纳米压印”的次世代半导体露光技术。
据日经新闻指出，东芝已于 2014 年开始量产全球最先端的 15nm NAND Flash 产品，而就现行技术来看，15nm 被视为是内存电路线幅细微化的极限，而东芝期望藉由研发 NIL 技术，突破细微化极限，让已逼近极限的电路线幅能进一步细微化，以藉此提高产品性能及成本竞争力。
日经指出，东芝目前已和 Canon 携手研发 NIL 制造设备，而东芝和 SK Hynix 于 NIL 制程技术的研发成果也将回馈至制造设备的研发上。
另据日刊工业新闻指出，东芝期望藉由 NIF 技术的实用化来降低 3D NAND Flash 的成本。 |
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