| 3D NAND Flash发展进程 |
| 时间：2014-1-13 浏览次数：355
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随着采用传统平面半导体技术的NAND Flash即将达到极限，存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术，重点从微型化转移至增加密度，以提高产能。下面介绍下各个厂商的3D NAND Flash进展情况：
三星早在2013年8月，就发布首款3D NAND Flash芯片，名为V-NAND，采用垂直单元结构，可在单个芯片上实现128 Gb的容量。此垂直结构是基于3D CTF(Charge Trap Flash)技术和垂直堆栈制程技术，该技术让3D V-NAND能够提供比目前20nm平面NAND Flash多两倍的扩展能力，得以突破目前NAND Flash闪存技术的缩放比例限制，且产品的可靠性是上一代的2至10倍，写入速度则是原来的2倍，并可扩大快闪储存容量至1TB以上。三星目标直接挥军服务器等级固态硬盘，并且在2013年第四季开始已陆续送样给服务器业者或是数据中心制造商进行测试。三星电子目前在3D-NAND Flash应用进度领先其他业者，而V-NAND制造基地将以韩国厂与新设立的中国西安厂为主。
开发3D-NAND Flash技术”BiCS”的东芝与SanDisk的3D-NAND Flash产品将从2014年第二季起开始小量试产，目标在2015年前能够顺利衔接现有1Y与1Z纳米技术，而为了后续3D-NAND Flash的量产铺路，东芝和SanDisk所共同投资位于日本三重县四日市的第五号半导体制造厂第二期工程扩建计划也预计2014年第三季完工，自第四季起可顺利进入规模化生产。
SK海力士与美光、英特尔阵营也明确宣告各自3D-NAND Flash的蓝图将接棒16纳米，计划将在2014年第二季左右可送样测试，最快将在第四季进入量产。
因3D NAND Flash芯片在生产良率的提升与效能的改善上需要较长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3D NAND Flash芯片生产将是有限的，而且产品多层结构的原因，故障分析也比较困难。因此3D技术要对整个行业增长做出显著贡献还有待时日。 |
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